各种半导体参数测试仪的产品资料、技术参数及报价。包括金三航、新建、北无仪、美国IST等的半导体参数测试仪相关资料。

半导体参数测试仪厂商: 金三航新建北无仪美国IST

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名称[型号]

简介

单价

半导体分立器件测试仪
ICT2900

30 pA 漏电流测量分辨率

260000

半导体管特性图示仪
QT2

600 V 高压程控电压源（基本配置）最高2000 V;20 A 电流输...

面议

截止电流反向击穿电压测试仪
BJ2900A

200nA 0—199.9nA 0.1nA ±3%满度值±4个字

9500

晶体管测试仪
BJ2923

电流源Icc0-2A70--2uA0nAIbb0--500mA70--2...

面议

闸流晶体管参数测试仪
BJ2948

可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断...

面议

场效应管测试仪
BJ2922A

可测gm,Vp，Idss

面议

稳压二极管测试仪
BJ2912B

可测量IN746~IN986系列，2CW，2DW，系列

面议

智能化晶体管开关参数测试仪
BJ2961A

测量范围：由5nS至500 nS.

68000

二极管反向恢复时间测试仪
BJ2962

频率：20KHZ 误差：正负5%

68000

三极管正偏二次击穿测试仪
BJ2983

测试功率：0~750W（100V，5A或300V，2.5V)

56000

三极管瞬态热阻测试仪
BJ2984

测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化

56000

晶体管直流脉冲开关安全工作区测试仪
BJ2986

检测计量晶体管在规定条件下的直流

98000

MOS场效应管瞬态热阻测试仪
BJ2989

可测试0—750WN沟道及P沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻

78000

MOS场效应管测试仪
BJ2990

可测试N沟道及P沟道大功率MOS场效应管的VGS(th)、RDS(on)...

58000

晶体管反向截止电流测试仪
JS-2D

反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测...

面议

二极管反向漏电流测义
JS-2G

测试二极管及任何二端器件

7300

可控硅综合参数测试仪
HB2931A

可测量晶闸管的通态，短态，触发电压，维持电流，维持电压等参数

16500

高频小功率晶体管ft测试仪
FT

100-1000MHz200-2000MHz10-100MHz30-30...

29500

美国分立半导体器件综合测试仪
IST8800

可用于对晶体三极管，二极管，齐纳二极管

面议

IST8800综合测试仪
IST8800

可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.

面议

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